Системы низкой размерности

Особенности фактора термоэлектрической мощности капсулированных структур, образованных двумерными слоями

С. Ю. Давыдов^a, О. В. Посредник<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В рамках модельного подхода получено выражения для фактора термоэлектрической мощности $\sigma S^2$ ($\sigma$ – статическая проводимость, $S$ – коэффициент Зеебека), характеризующего моноатомный 2D-слой, образованный элементом IV группы, находящийся между обкладками, образованными гексагональными 2D-слоями соединений III–V. Подробно рассмотрена структура $h$-BN/графен/$h$-BN и проанализирована зависимость фактора sigma $S^2$ от положения химического потенциала $\mu$. Приведены аналитические оценки характерных значений функции $\sigma S^2(\mu)$.

Ключевые слова: статическая проводимость, коэффициент Зеебека, гексагональные моноатомные двумерные слои.

Поступила в редакцию: 03.02.2023
Исправленный вариант: 03.02.2023
Принята в печать: 19.02.2023

DOI: 10.21883/FTT.2023.04.55305.15

Реферативные базы данных:

•