Системы низкой размерности

Излучательная рекомбинация в разъединенном гетеропереходе II типа InAs/InSb с квантовыми точками на интерфейсе

Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы электролюминесцентные свойства узкозонных гетероструктур II типа InAs/InSb/InAs, содержащих одиночный слой квантовых точек InSb, помещенный на границе раздела $p$–$n$-перехода в InAs. Особенности спектров электролюминесценции в зависимости от поверхностной плотности нанообъектов на разъединенной гетерогранице II типа были изучены как при прямом, так и при обратном внешнем смещении. При приложении обратного смещения к исследуемым гетероструктурам подавление отрицательной межзонной люминесценции и доминирование интерфейсных рекомбинационных переходов на гетерогранице II типа InSb/InAs наблюдались при комнатной температуре. Излучение, которое отвечало рекомбинационным переходам с участием локализованных состояний квантовых точек InSb, было зарегистрировано при низкой температуре.

Ключевые слова: квантовые точки, электролюминесценция, InAs, InSb, гетеропереход II типа.

Поступила в редакцию: 25.01.2023
Исправленный вариант: 25.01.2023
Принята в печать: 01.02.2023

DOI: 10.21883/FTT.2023.04.55304.11

Реферативные базы данных:

•