Сегнетоэлектричество

Формирование и исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе пленок оксида гафния

М. С. Афанасьев, Д. А. Белорусов, Д. А. Киселев, В. А. Лузанов, Г. В. Чучева

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия

Аннотация: Пленки оксида гафния (HfO$_2$) синтезированы на кремниевую подложку методом магнетронного распыления мишени аналогичного состава. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO$_2$ и электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-HfO$_2$-$n$-Si).

Ключевые слова: структуры металл–диэлектрик–полупроводник, сегнетоэлектрические пленки оксида гафния, пьезоэлектрический отклик, микроструктура, электрофизические свойства.

Поступила в редакцию: 18.12.2022
Исправленный вариант: 18.12.2022
Принята в печать: 24.01.2023

DOI: 10.21883/FTT.2023.04.55293.8

Реферативные базы данных:

•