Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводники

Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe

М. С. Ружевич^a, К. Д. Мынбаев^b, Н. Л. Баженов^b, М. В. Дорогов^a, С. А. Дворецкий^c, Н. Н. Михайлов^c, В. Г. Ремесник^c, И. Н. Ужаков<sup>c

a</sup> Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Приведены результаты исследования оптических и структурных свойств широкозонных ($x\sim$ 0.7) слоев в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках (013) GaAs, а также эпитаксиальных пленок, аналогичных этим слоям по химическому составу. Показано, что положение максимума спектра фотолюминесценции и характер его температурного сдвига связаны с разупорядочением состава твердого раствора. Обнаружены мелкие и глубокие акцепторные уровни в запрещенной зоне. Обсуждается возможное влияние разупорядочения и акцепторных уровней в лазерных структурах на энергетический спектр носителей.

Ключевые слова: CdHgTe, лазерные структуры, фотолюминесценция, дефекты, структурные свойства.

Поступила в редакцию: 12.12.2022
Исправленный вариант: 12.12.2022
Принята в печать: 22.12.2022

DOI: 10.21883/FTT.2023.03.54738.552

Реферативные базы данных:

•