Сверхпроводимость

Влияние ориентации игольчатых включений NiSb на температурную зависимость сопротивления в монокристаллах Cd$_{0.95}$Ni$_{0.05}$Sb

В. С. Захвалинский^a, Е. А. Пилюк^ba, А. В. Кочура^bc, Л. А. Моргун^b, А. Б. Давыдов^b, Зо Хтет Аунг^c, В. В. Родионов^c, Б. А. Аронзон<sup>b

a</sup> Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
^c Юго-Западный государственный университет, Курск, Россия

Аннотация: Композитный кристалл Cd$_{0.95}$Ni$_{0.05}$Sb, состоящий из CdSb и включений NiSb, был получен модифицированным методом Бриджмена. Методами сканирующей электронной микроскопии, рентгенофазового анализа, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, исследований спектров комбинационного рассеяния света показано, что основная матрица CdSb представляет собой монокристалл (орторомбическая структура Pbca), содержащий микрокристаллические игольчатые включения второй фазы NiSb (гексагональная структура типа NiAs $P6_3/mmc$). Обнаружено, что анизотропия монокристаллических игл NiSb в образцах кристаллического композита Cd$_{0.95}$Ni$_{0.05}$Sb (иглы вдоль и поперек направления тока) существенно влияет на сопротивление и магнетосопротивление кристалла. Граница раздела игольчатое включение-матрица может переходить в сверхпроводящее состояние, что оказывает влияние на проводимость композита в целом.

Ключевые слова: антимонид кадмия, антимонид никеля, композит, анизотропное сопротивление, сверхпроводимость на границе раздела фаз.

Поступила в редакцию: 06.12.2022
Исправленный вариант: 06.12.2022
Принята в печать: 10.12.2022

DOI: 10.21883/FTT.2023.03.54736.548

Реферативные базы данных:

•