Эта публикация цитируется в 2 статьях

Диэлектрики

Фотолюминесценция оксида гафния, синтезированного методом атомно-слоевого осаждения

С. В. Булярский^ab, К. И. Литвинова^ab, Е. П. Кириленко^b, Г. А. Рудаков^b, А. А. Дудин<sup>b

a</sup> НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Зеленоград, Россия
^b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия

Аннотация: Рассматривается дефектообразование в оксиде гафния, который относится к high-K-диэлектрикам и является перспективным материалом в различных областях нано- и оптоэлектроники. Этот материал, синтезированный методом атомно-слоевого осаждения, образуется со значительным дефицитом кислорода и содержит большое количество вакансий этого вещества. Контроль за содержанием вакансий кислорода был осуществлен методами фотолюминесценции. Нами было показано, что на формирование полос излучения большое влияние оказывает электрон-фононное взаимодействие. В этом случае полосу излучения нельзя идентифицировать только по максимуму излучения: необходимо вычислять такие параметры полосы, как тепловыделение и энергия чисто электронного перехода. Именно эту энергию можно сравнивать с результатами теоретических расчетов из первых принципов.

Ключевые слова: high-K-диэлектрик, дефекты, вакансия кислорода, электрон-фононное взаимодействие.

Поступила в редакцию: 10.11.2022
Исправленный вариант: 17.11.2022
Принята в печать: 18.11.2022

DOI: 10.21883/FTT.2023.02.54296.524

Реферативные базы данных:

•