Аннотация:
Механизм влияния дефектов в GaN на эффективность локализации в квантовой яме InGaN|GaN электрически инжектированных носителей заряда исследуется с помощью туннельной спектроскопии глубоких центров. Обнаружено, что зависимости квантовой эффективности и спектральной эффективности излучательной рекомбинации от прямого смещения имеют вид кривых с максимумом и горбами при смещениях, соответствующих примесным зонам центров окраски в GaN. Падение квантовой эффективности с ростом смещения сопровождается голубым сдвигом спектра излучения. Мы объясняем эти эффекты на основе модели локализации носителей в квантовой яме, учитывающей значительный вклад в туннельную проницаемость потенциальных стенок квантовой ямы ионизованных глубоких центров окраски и их перезарядки по мере возрастания прямого смещения.
Полный текст:
PDF файл (616 kB)