Полупроводники

Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs

С. А. Дворецкий^a, М. Ф. Ступак^b, Н. Н. Михайлов^a, В. С. Варавин^a, В. Г. Ремесник^a, С. Н. Макаров^b, А. Г. Елесин^b, А. Г. Верхогляд<sup>b

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Конструкторско-технологический институт научного приборостроения СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Наблюдается большая неоднородность времени жизни неосновных носителей заряда от 1 до 10 $\mu$s при 77 K по площади в некоторых экспериментах при выращивании высококачественных слоев HgCdTe электронного типа проводимости на подложках из GaAs диаметром 76.2 mm c ориентацией (013) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Как правило, такие времена определяются рекомбинацией носителей на центрах Шокли–Холла–Рида (ШХР). Современные исследования и представления природы ШХР-центров не позволяют объяснить наблюдаемые результаты. Проведенные измерения слоев HgCdTe методом второй гармоники отраженного лазерного излучения показали существование квазипериодического изменения сигнала в минимумах азимутальной зависимости, которое связывается с появлением разориентированных микроучастков кристаллической структуры. Амплитуда квазипериодического изменения сигнала уменьшается с увеличением времени жизни и полностью исчезает для областей с высокими значениями времени жизни. Аналогичные зависимости наблюдаются при травлении слоев HgCdTe, что свидетельствует о существовании разориентированных микроучастков во объеме. Таким образом, разориентированные микроучастки кристаллической структуры оказывают существенное влияние на время жизни и являются новыми центрами рекомбинации Шокли–Холла–Рида.

Ключевые слова: слои HgCdTe, время жизни, вторая гармоника, азимутальные угловые зависимости, рекомбинационные центры, разориентированные микроучастки.

Поступила в редакцию: 31.08.2022
Исправленный вариант: 31.08.2022
Принята в печать: 06.09.2022

DOI: 10.21883/FTT.2023.01.53923.466

Реферативные базы данных:

•