Полупроводники
Термоэлектрические свойства пленок твердого раствора $p$-(Bi,Sb)$_2$Te$_3$ с учетом энергетической зависимости времени релаксации
Л. Н. Лукьянова,
О. А. Усов,
В. А. Данилов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости термоэлектрических свойств в поликристаллических слоистых пленках топологических изоляторов
$p$-Bi
$_{0.5}$Sb
$_{1.5}$Te
$_3$, сформированных на подложках полиимида и слюды методами дискретного осаждения и термического испарения. Показано, что повышение термоэлектрической эффективности пленок
$p$-Bi
$_{0.5}$Sb
$_{1.5}$Te
$_3$ зависит от величины эффективного параметра рассеяния
$r_\mathrm{eff}$, который определяет вид энергетической зависимости времени релаксации
$\tau(E)$. Повышение эффективности до
$Z_{max}$ = 4.5
$\cdot$ 10
$^{-3}$ K
$^{-1}$ при
$T$ = 240 K наблюдается при оптимальных величинах параметра
$r_\mathrm{eff}$ в отожженных пленках, сформированных дискретным осаждением на подложки из полиимида и слюды. Рост
$Z$ в пленке на полиимиде определяется низкой теплопроводностью, а на подложке из слюды – увеличением параметра мощности за счет роста коэффициента Зеебека. Отклонение величин
$r_\mathrm{eff}$ от оптимальных значений в неотожженных пленках на полиимиде при дискретном испарении приводит к снижению термоэлектрической эффективности до 3.75
$\cdot$ 10
$^{-3}$ K
$^{-1}$ при
$T$ = 260 K из-за снижения электропроводности, несмотря на низкую теплопроводность.
Ключевые слова:
халькогениды висмута и сурьмы, термоэлектрическая эффективность, топологический изолятор, параметр рассеяния.
Поступила в редакцию: 23.10.2024
Исправленный вариант: 03.11.2024
Принята в печать: 03.11.2024
DOI:
10.61011/FTT.2024.12.59603.289