Аннотация:
Дихалькогениды переходных металлов нашли широкое применение в различных областях электроники (спинтроника, оптоэлектроника, устройства памяти) в качестве двумерных полупроводников в виде тонких кристаллических пленок. Одним из методов их получения является кристаллизация в твердом состоянии из аморфной фазы на различных подложках. В данной работе измерения дифференциальной сканирующей калориметрии показали, что нанослои MoTe$_2$, осажденные на различные подложки (Ta, Al, W, Mo), находятся в различных структурных состояниях: аморфном, частично кристаллическом или полностью кристаллическом. Было обнаружено, что температуры стеклования, диапазоны кристаллизации и энтальпии различаются в зависимости от подложки. Это означает, что какова бы ни была причина наблюдаемых различий, результаты, полученные на одной подложке, не могут быть использованы при изменении материала подложки.
Полный текст:
PDF файл (336 kB)