Аннотация:
В данной работе рассмотрено перестраивание конфигурации оптического поля в диэлектрическом слое, граничащем с однородной средой или с фотонным кристаллом, при изменении длины волны. Проведено аналитическое рассмотрение задачи. Показано, что наиболее оптимальной конфигурацией для эффективного перестраивания положения пучностей оптической стоячей волны является использование фотонного кристалла в качестве подложки. При этом фаза оптического поля внутри тонкой пленки сильно зависит от длины волны излучения (3.8 rad/$\mu$m) в сравнении с пленкой без фотонного кристалла (0.4 rad/$\mu$m). Полученные результаты полезны для применения в таких областях, как экситоника и магноника, а также для развития методов расчета фотонных структур.
Полный текст:
PDF файл (152 kB)