Аннотация:
Тонкие пленки BaFe$_{12}$O$_{19}$ были синтезированы методом ионно-лучевого распыления на аморфных структурах Al$_2$O$_3$|Si$_3$N$_4$. Непосредственно после напыления пленки BaFe$_{12}$O$_{19}$ аморфны, но посредством отжига могут быть переведены в кристаллическое состояние. При этом, в определенных условиях, в таких пленках спонтанно образуется текстура (00l), что позволяет использовать их для проектирования и создания планарных СВЧ-приборов, устройств спинтроники и магнитной памяти. Однако вследствие термической обработки в структуре BaFe$_{12}$O$_{19}$|Al$_2$O$_3$|Si$_3$N$_4$ возникают механические напряжения, приводящие к образованию макроскопических дефектов. Исследуется возможность снижения напряжений посредством дополнительного отжига слоев Al$_2$O$_3$ и Si$_3$N$_4$ при 900$^\circ$C и варьирования толщины Al$_2$O$_3$ с целью получения бездефектных пленок BaFe$_{12}$O$_{19}$ (00l).
Полный текст:
PDF файл (804 kB)