Аннотация:
Методом термостимулированной деполяризации установлен энергетический спектр локализованных дырочных состояний в аморфном нитриде кремния (Si$_3$N$_4$). Энергия дырочной ловушки составляет величину 1.15 eV. Ширина спектра дырочных локализованных состояний не превышает 10 meV, что меньше $kT$ = 26 meV при комнатной температуре. Этот результат указывает на то, что уширение уровня локализованных состояний, за счет отсутствия дальнего порядка в аморфном Si$_3$N$_4$, т. е за счет флуктуаций межатомного расстояния Si–N, тетраэдрического угла N–Si–N и диэдрического угла Si–N–Si, мало.
Полный текст:
PDF файл (161 kB)