Аннотация:
Представлены результаты исследования фазового состава, структурных характеристик и фотолюминесценции тонких пленок прямозонного соединения Cu$_2$ZnSnSe$_4$ (CZTSe) со структурой кестерита. Рентгеноспектральный локальный микроанализ с энергетической дисперсией показал, что соотношение элементов в соединении CZTSe составляет: [Cu]/[Zn +Sn] $\sim$ 0.75 и [Zn]/[Sn] $\sim$ 1.17. С использованием рентгенодифракционного анализа определены параметры элементарной ячейки тонких пленок соединения CZTSe, составившие: $a\sim$ 5.692 $\mathring{\mathrm{A}}$ и $c\sim$ 11.33 $\mathring{\mathrm{A}}$. По данным измерения спектров фотолюминесценции и спектров возбуждения фотолюминесценции при температурах в диапазоне 6–300 K определена ширина запрещенной зоны $E_g\sim$ 1.052 eV тонких пленок CZTSe, положение энергетических уровней дефектов структуры в запрещенной зоне и установлены механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Обсуждается природа ростовых дефектов структуры в соединении CZTSe.
Полный текст:
PDF файл (683 kB)