Полупроводники

Формирование ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией: сравнение разных типов отжига

О. В. Вихрова^a, Ю. А. Данилов^a, Ю. А. Дудин^a, А. В. Здоровейщев^a, И. Л. Калентьева^a, А. В. Кудрин^a, Р. Н. Крюков^a, А. В. Нежданов^a, А. Е. Парафин^b, М. К. Таперо^cd, М. П. Темирязева^e, А. Г. Темирязев^e, А. А. Яковлева<sup>a

a</sup> Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Нижний Новгород, Россия
^c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
^d Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
^e Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Рассмотрено получение ферромагнитного полупроводника GaMnAs ионной имплантацией и тремя типами отжига: быстрый термический, импульсный лазерный и комбинированный отжиг (сочетание быстрого термического и импульсного лазерного отжига). Быстрый термический отжиг способствовал улучшению кристалличности и формированию включений (в том числе и ферромагнитных при комнатной температуре), а последующее воздействие лазерного излучения приводило к их модифицированию. При исследовании структурных, гальваномагнитных и магнитооптических свойств обнаружено формирование в слоях GaMnAs двух ферромагнитных фаз, отличающихся температурой Кюри.

Ключевые слова: ионное легирование, быстрый термический отжиг, импульсный лазерный отжиг, двухфазный ферромагнитный полупроводник.

Поступила в редакцию: 16.06.2024
Исправленный вариант: 26.09.2024
Принята в печать: 28.09.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.10.59073.195

Реферативные базы данных:

•