Физика поверхности, тонкие пленки

Структура и кинетика диспропорционирования тонких пленок GeO

К. Н. Астанкова^a, Н. А. Кислухин^b, И. А. Азаров^ac, И. П. Просвирин^d, В. А. Володин<sup>ac

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
^c Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
^d Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Объектом исследования являются тонкие пленки ($\sim$10–15 nm) монооксида германия, полученные методом термического испарения в вакууме композитных слоев GeO$_2$, содержащих нанокластеры Ge, и осаждения паров GeO на холодную подложку. По данным рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что структуру ближнего порядка пленок монооксида германия можно описать моделью неупорядоченной случайной сетки. Стехиометрический параметр $x$ в пленках GeO$_x$ составил 1.07 $\pm$ 0.05. Данные спектроскопии комбинационного рассеяния света и инфракрасной спектроскопии свидетельствуют о разной глубине протекания процесса диспропорционирования GeO при отжиге от 5 до 30 min и температуре 200–400$^\circ$C в вакууме. Отжиги продолжительностью 45 min и более при тех же температурах приводили к частичному окислению аморфных кластеров Ge в матрице оксида.

Ключевые слова: монооксид германия, нанокластеры германия, модель неупорядоченной случайной сетки, реакция диспропорционирования, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, комбинационное рассеяние света, ИК-спектроскопия.

Поступила в редакцию: 08.07.2024
Исправленный вариант: 09.07.2024
Принята в печать: 10.07.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.09.58784.181