Аннотация:
Представлены результаты исследования токов ограниченных пространственными зарядами в тонких слоях $\beta$-ZnP$_2$ при освещении светом из области фундаментального поглощения. Показано, что на границе кристалла развиваются электрические поля достаточные для образования микроплазм и разрушения кристалла. При освещении катода напряженность электрического поля падает вплоть до нулевых значений. Моделирование явлений переноса заряда показывает, что удовлетворительное совпадение эксперимента с теорией достигается при учете рекомбинационного донорного уровня в запрещенной зоне полупроводника.
Полный текст:
PDF файл (237 kB)