Примесные центры и дефекты

Люминесценция вольфрамового комплекса в полученных методом химического газофазного осаждения алмазных частицах

С. А. Грудинкин^a, К. В. Богданов^b, М. А. Баранов^b, А. В. Баранов^b, В. Г. Голубев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Международный научно-образовательный центр физики наноструктур, Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом химического газофазного осаждения с горячей вольфрамовой спиралью на подложке германия синтезированы алмазные нано- и микрочастицы, в спектрах фотолюминесценции которых наблюдались интенсивные полосы оптически активного комплекса, содержащего вольфрам. Исследовано влияние температуры подложки на интенсивность люминесценции вольфрам-содержащего комплекса и структурные свойства полученных алмазных частиц. Путем размещения вольфрамовой спирали под углом к плоскости подложки создавался градиент параметров роста вдоль поверхности подложки. Показано влияние одновременно изменяющихся в зависимости от расстояния спираль-подложка параметров роста на интенсивность люминесценции W-комплекса, скорость роста алмазных частиц, а также на их структурные свойства и фазовый состав.

Ключевые слова: алмаз, оптически активные дефекты, фотолюминесценция, комбинационное рассеяние света.

Поступила в редакцию: 26.06.2024
Исправленный вариант: 26.06.2024
Принята в печать: 27.06.2024

DOI: 10.61011/PSS.2024.08.59061.169