Аннотация:
Слой GaN $n$-типа, легированный оловом был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (HVPE). Легирование оловом осуществлялось путем химической реакции с образованием SnCl$_2$ и его последующим распадом в присутствии NH$_3$. Показано, что легирование оловом приводит к исчезновению трещин и уменьшению шероховатости GaN. Исследованы оптические свойства GaN, легированного оловом. Показано, что в рамановском спектре GaN : Sn появляется толстая зона линий в области от 620 до 740 cm$^{-1}$, связанная с колебаниями связей Sn–N. Электроны проводимости, возникающие при легировании GaN оловом, поглощают свет в области 2.2–3.3 eV. Методом функционала плотности показано, что атомы Sn сильно взаимодействуют друг с другом в кристалле GaN анизотропным образом, определяя локальную группу симметрии легированного кристалла.
Полный текст:
PDF файл (947 kB)