RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 7, страницы 1176–1179 (Mi ftt10373)

Полупроводники

Диффузия магния в кремнии, выращенном методом Чохральского

Л. М. Порцель, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована диффузия магния в бездислокационном кремнии, выращенном методом Чохральского (Cz–Si) с концентрацией кислорода $\sim$(1.2–1.6) $\cdot$ 10$^{17}$ cm$^{-3}$. Проведено сравнение температурной зависимости коэффициента диффузии магния с данными, полученными ранее в Cz–Si с бóльшей концентрацией кислорода $\sim$(3–4) $\cdot$10$^{17}$ cm$^{-3}$. Значения коэффициента диффузии, измеренные при температурах $T$ = 1100–1250$^\circ$C, оказались больше в кремнии с меньшей концентрацией кислорода. Обработка экспериментальных данных проводилась в рамках модели диффузии ограниченной ловушками, в которой замедление диффузии происходит в результате захвата межузельных атомов Mg центрами, связанными с кислородом. Определена энергия связи центров захвата $\sim$2.2 eV.

Ключевые слова: кремний, выращенный методом Чохральского, магний, диффузия, глубокие доноры.

Поступила в редакцию: 23.05.2024
Исправленный вариант: 23.05.2024
Принята в печать: 24.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.07.58390.133



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026