XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Магнетизм, спинтроника

Рост эпитаксиальных тонких пленок антиферромагнетика Sr$_2$IrO$_4$ для гетероструктур спинтроники

И. Е. Москаль^a, Ю. В. Кислинский^a, А. М. Петржик^a, Г. А. Овсянников^a, Н. В. Дубицкий<sup>b

a</sup> Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
^b МИРЭА — Российский технологический университет, Москва, Россия

Аннотация: Представлено сравнение параметров эпитаксиальных тонких пленок иридата стронция Sr$_2$IrO$_4$, полученных двумя методами: катодным распылением на постоянном токе и катодным распылением на импульсном токе. Сравниваются резистивные и кристаллографические характеристики полученных тонкопленочных образцов. Обсуждаются модели электронного транспорта полученных пленок: термическая активация, типичная для зонного диэлектрика, и трехмерная прыжковая проводимость, характерная для моттовского прыжкового проводника.

Ключевые слова: антиферромагнетизм, иридат стронция, эпитаксиальные тонкие пленки.

Поступила в редакцию: 18.04.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 08.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.07.58380.58HH

Реферативные базы данных:

•