XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Сверхпроводимость

Подстройка параметров туннельного барьера СИС-перехода путем варьирования состава верхнего электрода

А. М. Чекушкин, М. Е. Парамонов, В. П. Кошелец

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Рассмотрено влияние верхнего электрода нитрида ниобия в многослойной структуре Nb|Al-AlN|NbN на параметры туннельного барьера (AlN). Показано, что повышение концентрации азота в газовой смеси Ar/N$_2$ при формировании NbN методом магнетронного распыления приводит к уменьшению туннельной прозрачности барьера AlN.

Ключевые слова: сверхпроводниковые устройства, туннельный переход сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, туннельный барьер AlN, плазмохимическое травление.

Поступила в редакцию: 18.04.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 08.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.07.58370.39HH

Реферативные базы данных:

•