XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Магнетизм, спинтроника

Исследование характеристик ТМР-сенсора на основе магнитных туннельных переходов с одноосной кристаллической анизотропией в свободном слое

М. Д. Лобкова^a, П. Н. Скирдков^ab, К. А. Звездин<sup>a

a</sup> Новые спинтронные технологии, Российский квантовый центр, Инновационный центр Сколково, Московская обл., Москва, Россия
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия

Аннотация: Представлен подход к проектированию туннельного магниторезистивного сенсора на основе магнитных туннельных переходов со свободным слоем с плоскостной кристаллической анизотропией, направленной ортогонально намагниченности слоя поляризатора. Выполнено подробное исследование влияния формы магнитного туннельного перехода, туннельного магнетосопротивления и поля кристаллической анизотропии на чувствительность и передаточную характеристику ТМР-сенсора.

Ключевые слова: магнитный туннельный переход, магнитный туннельный переход со свободным слоем с плоскостной кристаллической анизотропией, направленной ортогонально намагниченности слоя поляризатора, спинтроника, проектирование сенсора, ТМР-сенсор, туннельный магниторезистивный сенсор, передаточная характеристика сенсора, чувствительность сенсора.

Поступила в редакцию: 18.04.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 08.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.06.58240.29HH

Реферативные базы данных:

•