XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Сверхпроводимость

Влияние малых доз ионного облучения на сверхпроводящие свойства тонких пленок NbN

Г. Ю. Голубев^a, К. Е. Приходько^ab, Б. А. Гурович^a, Д. А. Комаров^a, Е. М. Малиева^a, Б. В. Гончаров^a, Д. А. Гончарова^a, В. Л. Столяров<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия

Аннотация: Впервые выполнены эксперименты по влиянию малых флюенсов ($\sim$ 2.7 $\cdot$ 10$^{14}$ cm$^{-2}$) смешанного ионного облучения на сверхпроводящие характеристики пленки NbN. Были измерены критические токи перехода (полученные из статических вольт-амперных характеристик) и зависимости $R(T)$ для исходной пленки и после облучения малым флюенсом. Было установлено, что при таком флюенсе наблюдается увеличение критического тока перехода NbN из сверхпроводящего состояния в нормальное. При этом было установлено отсутствие влияния такого малого флюенса на критическую температуру перехода.

Ключевые слова: тонкие сверхпроводящие пленки NbN, смешанное ионное облучение, критические токи сверхпроводящих пленок, влияние облучения на сверхпроводящие свойства пленок NbN.

Поступила в редакцию: 18.04.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 08.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.06.58237.23HH

Реферативные базы данных:

•