XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Сверхпроводимость

Характеристики структур YBCO|CeO$_2$|Al$_2$O$_3$ при уменьшении толщины подслоя оксида церия

А. В. Боряков, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, П. А. Юнин

Институт физики микроструктур РАН – филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук", Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследованы транспортные свойства, морфология поверхности и структура эпитаксиальных пленок высокотемпературного сверхпроводника Y$_1$Ba$_2$Cu$_3$O$_{7-x}$ (YBCO) при уменьшении толщины эпитаксиального буферного слоя CeO$_2$ на сапфире. Показано, что критическая температура и критическая плотность тока пленок YBCO сохраняют высокие значения ($T_c>$ 87 K, $J_c$ (77 K) $>$ 2 MA/cm$^2$) при уменьшении толщины подслоя CeO$_2$ от 100 до 1.2 nm. Пленки YBCO остаются сверхпроводящими ($T_c>$ 83 K) на слое CeO$_2$ с эквивалентной толщиной 0.1 nm.

Ключевые слова: нано- и микроструктуры, формирование топологии структуры, рост в локальных областях, высокотемпературные сверхпроводники.

Поступила в редакцию: 18.04.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 08.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.06.58235.20HH

Реферативные базы данных:

•