XXVIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Н. Новгород, 11-15 марта 2024 г.
Металлы

Управление ячейкой SOT-MRAM внешним магнитным полем и током

Н. В. Островская, В. А. Скиданов, Ю. А. Юсипова

Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Зеленоград, Москва, Россия

Аннотация: Построена динамическая система, описывающая динамику намагниченности в элементе магнитной памяти произвольного доступа на основе спинового эффекта Холла. Рассмотрены конфигурация ячейки с перпендикулярной анизотропией активного слоя и динамика намагниченности в слое под действием импульсов зарядового тока и внешнего магнитного поля. Проведен качественный анализ динамической системы. Выявлены состояния равновесия системы и проведена классификация основных динамических режимов. Рассчитана критическая величина тока переключения.

Ключевые слова: спинтроника, орбитроника, намагниченность, уравнение Ландау–Лифшица–Гильберта, спиновый эффект Холла, спиновый ток, зарядовый ток, спиновый вращательный момент.

Поступила в редакцию: 18.04.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 08.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.06.58230.31HH

Реферативные базы данных:

•