Металлы

Эффект Холла и квантовые осцилляции магнитосопротивления в топологическом изоляторе Bi$_2$Se$_3$. Роль объемных и поверхностных носителей

Б. М. Фоминых, А. Н. Перевалова, С. В. Наумов, В. В. Чистяков, В. В. Марченков

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия

Аннотация: При температурах 5 и 10 K и в магнитных полях до 9 T измерены полевые зависимости магнитосопротивления и сопротивления Холла монокристалла топологического изолятора Bi$_2$Se$_3$. Показано, что эффект Холла обусловлен объемными носителями, тогда как осцилляции Шубникова–де Гааза связаны с двумерными носителями.

Ключевые слова: монокристалл Bi$_2$Se$_3$, рост кристаллов, поверхность Ферми, фаза Берри, осцилляции Шубникова–де Гааза.

Поступила в редакцию: 12.04.2024
Исправленный вариант: 18.04.2024
Принята в печать: 18.04.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.05.58068.90

Реферативные базы данных:

•