Физика поверхности, тонкие пленки

Эффекты резистивного переключения в пленках на основе нанокристаллов неорганических перовскитов CsPbBr$_3$(I$_3$), сопряженного полимера P3HT и [60]PCBM

М. К. Овезов, А. Н. Алешин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Разработка надежных оптико-электронных мемристоров имеет решающее значение для успешного развития нейроморфных систем, однако существующие устройства страдают от неконтролируемой динамики миграции ионов, приводящей к непредсказуемым параметрам резистивного переключения. В настоящей работе были получены структуры с использованием нанокристаллов неорганических перовскитов – квантовых точек CsPbBr$_3$(I$_3$), пленок сопряженного полимера поли(3-гексилтиофена) (P3HT) и производного фуллерена [60]PCBM. Были исследованы морфология и оптоэлектронные свойства полученных сaндвич-структур. Установлено, что при 300 K полученные образцы демонстрируют эффект памяти, заключающийся в переключении из высоко- в низкорезистивное состояние при подаче напряжения. Обсуждается природа наблюдаемого в таких структурах эффекта памяти, связанного с захватом носителей заряда ловушками, а также перспективы использования подобных материалов в нейроморфных интерфейсах и для изготовления ячеек памяти – мемристоров.

Ключевые слова: неорганические перовскиты, механизмы транспорта, резистивное переключение, мемристоры, проводящие полимеры.

Поступила в редакцию: 20.02.2024
Исправленный вариант: 29.02.2024
Принята в печать: 01.03.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.04.57798.31

Реферативные базы данных:

•