Обзоры

Поглощение микроволнового излучения и осцилляции магнитосопротивления в композитных квантовых ямах InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром в квантующем магнитном поле (Обзор)

М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, П. В. Семенихин, Р. В. Парфеньев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Обсуждаются магнитотранспортные свойства наногетероструктур на основе композитных квантовых ям InAs/GaSb с полуметаллическим зонным спектром, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках $n$-GaSb и $n$-InAs с различной концентрацией носителей. Экспериментальные результаты получены с помощью бесконтактной методики электронного парамагнитного резонанса при исследовании температурных и угловых зависимостей поглощения микроволнового излучения и осцилляций магнитосопротивления в широком интервале температур (2.7–270 K) и магнитных полей (до 1.4 T). Продемонстрирована возможность применения спектроскопии электронного парамагнитного резонанса для изучения спин-зависимых явлений в магнитном поле в двумерных гетероструктурах с инвертированным зонным спектром. В частности, обсуждаются магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием 2$D$-электронов на интерфейсных акустических фононах в квантующем магнитном поле, которые были обнаружены и исследованы в гетероструктурах с квантовыми ямами InAs/GaSb, выращенных на подложке $n^0$-InAs.

Ключевые слова: композитная квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, электронный парамагнитный резонанс, поглощение микроволнового излучения, акустические фононы, осцилляции Шубникова–де Гааза, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления.

Поступила в редакцию: 24.10.2023
Исправленный вариант: 22.12.2023
Принята в печать: 11.02.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.03.57471.240

Реферативные базы данных:

•