Аннотация:
Проведен расчет критической толщины псевдоморфного слоя и механических напряжений HgTe на подложках (013) Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te при температурах роста 120, 150 и 180$^\circ$C для двух дислокационных систем скольжения. Установлено, что критическая толщина HgTe варьируется от 40–60 до 1200–1800 nm при изменении $x$ от 0 до 0.9. Механические напряжения, обусловленные несоответствием параметров решетки гетеропары HgTe/Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te, изменяются в диапазоне от 6 до 125 MPa при изменении $x$ и слабо зависят от температуры. Механические напряжения при охлаждении, обусловленные несоответствием коэффициентов термического расширения, составили от -1 до -7 MPa. Эти результаты позволяют прогнозировать механические напряжения в различных приборных конструкциях на основе гетеропары Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te.
Полный текст:
PDF файл (158 kB)