Аннотация:
Проанализированы особенности модуляции диэлектрической проницаемости фоторефрактивного кристалла GaAs при записи фазовой голографической решетки в результате когерентного взаимодействия двух световых волн. В кристаллографической системе координат построена поверхность, отображающая зависимость максимальных значений нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла от пространственной ориентации волнового вектора голограммы. При теоретических расчетах принимались во внимание линейный электрооптический, фотоупругий и обратный пьезоэлектрический эффекты. Установлено, что наибольшее значение нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла GaAs достигается в случае, если волновой вектор голограммы лежит в одной из плоскостей вида $\{110\}$ и отстоит на угловом расстоянии 4$^\circ$ от лежащей в плоскости оси вида $\langle$110$\rangle$. Значение модуляции показателя преломления, близкое к наибольшей величине, может быть достигнуто при ориентации волнового вектора голограммы вдоль направления $\langle$110$\rangle$.
Полный текст:
PDF файл (483 kB)