Полупроводники

Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt

Е. И. Малышева, П. Б. Дёмина, М. В. Ведь, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Байдусь, В. Н. Трушин

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs и ферромагнитных контактов, представляющих собой сплав CoPt$_x$, где состав варьировался в пределах (1 $\le x\le$ 2.5). Показано, что варьирование состава ферромагнитного контакта обеспечивает управление видом магнитополевой зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесцентного излучения. Исследования показали, что управление осуществляется за счет модуляции магнитных характеристик пленок при варьировании состава. Полученный результат показывает возможность контроля с помощью магнитного поля переключения намагниченности контактов спинового светоизлучающего диода, что представляется полезным с практической точки зрения.

Ключевые слова: магнитные тонкие пленки, спиновая инжекция, спиновые светодиоды, полупроводники A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$.

Поступила в редакцию: 22.11.2023
Исправленный вариант: 13.12.2023
Принята в печать: 14.12.2023

DOI: 10.61011/FTT.2024.02.57241.261

Реферативные базы данных:

•