Оптические свойства, фотоника

Приповерхностное возбуждение нестационарной фотоэдс в кристалле PbNi$_{1/3}$Nb$_{2/3}$O$_3$

М. А. Брюшинин, И. А. Соколов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Релаксорный сегнетоэлектрик PbNi$_{1/3}$Nb$_{2/3}$O$_3$ исследуется методом нестационарной фотоэдс на длине волны света $\lambda$ = 457 nm. Данная длина волны соответствует краю поглощения света кристаллом, приводя к приповерхностной диффузионной записи зарядовых решеток и соответствующему приповерхностному возбуждению сигнала нестационарной фотоэдс. Амплитуда сигнала зависит от частоты фазовой модуляции света, интенсивности и пространственной частоты интерференционной картины. Путем анализа данных зависимостей оцениваются фотоэлектрические параметры кристалла – тип, величина и время релаксации фотопроводимости, а также диффузионная длина носителей заряда.

Ключевые слова: нестационарная фотоэдс, фотопроводимость, релаксорный сегнетоэлектрик.

Поступила в редакцию: 27.09.2023
Исправленный вариант: 27.09.2023
Принята в печать: 30.11.2023

DOI: 10.61011/FTT.2024.01.56952.216

Реферативные базы данных:

•