Полупроводники

Влияние частоты поля при плазмохимическом осаждении на структуру и свойства кремний-углеродных покрытий

А. И. Попов^a, А. Д. Баринов^a, П. А. Едельбекова^b, В. М. Емец^a, И. Н. Мирошникова^a, Т. С. Чуканова<sup>a

a</sup> Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт», Москва, Россия
^b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия

Аннотация: Проведены исследования электрофизических, механических свойств, морфологии поверхности и структуры кремний-углеродных покрытий, изготовленных плазмохимическим осаждением кремнийорганического прекурсора при разных частотах аксиального электрического поля. Показано, что причиной изменений исследованных характеристик покрытий при вариации частоты поля является изменение соотношения концентраций атомов углерода с различной гибридизацией электронных орбиталей. Зависимости всех исследованных характеристик от частоты поля имеют два различных по характеру участка. При частотах от 0.1 до 1.0 MHz наблюдаются значительные и немонотонные изменения свойств покрытий при изменении частоты электрического поля. При частотах более 1.0 MHz свойства получаемых покрытий практически не зависят от частоты. На базе совместного анализа результатов исследований физических свойств и рамановской спектроскопии предложена модель эволюции структуры покрытий с изменением частоты поля при их осаждении.

Ключевые слова: кремний-углеродные покрытия, химический состав, фазовый состав, электропроводимость, модуль упругости, рамановские спектры, атомы углерода, гибридизация электронных орбиталей.

Поступила в редакцию: 31.10.2023
Исправленный вариант: 16.11.2023
Принята в печать: 27.11.2023

DOI: 10.61011/FTT.2024.01.56935.245

Реферативные базы данных:

•