Полупроводники

Процессы делокализации заряда в монокристалле TlGaSe$_2$ : Nd и размораживание электретных состояний

А. П. Одринский

Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь

Аннотация: На кристалле TlGaSe$_2$, легированном примесью неодима, методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии обнаружено восемь процессов делокализации заряда. Идентифицированы процессы, связанные с собственными дефектами кристалла и атомами введенной примеси. Обнаружена модификация процессов термоэмиссии заряда, обусловленная формированием электретных состояний в кристалле. Рассмотрен процесс делокализации заряда в области температуры размораживания электретных состояний кристалла. Смещение графика Аррениуса данного процесса в легированном кристалле относительно нелегированного интерпретировано в рамках усиления термоэмиссии заряда в нелегированном кристалле вследствие туннелирования с участием фононов.

Ключевые слова: сегнетоэлектрики-полупроводники, центры локализации заряда, 2D-кристаллы, усиление термоэмиссии.

Поступила в редакцию: 24.10.2023
Исправленный вариант: 24.10.2023
Принята в печать: 25.10.2023

DOI: 10.61011/FTT.2024.01.56932.238

Реферативные базы данных:

•