Аннотация:
В статье мемристорные устройства, способные менять свою проводимость в зависимости от степени их участия в процессе передачи сигнала, рассматриваются в качестве основы микро- и наноэлектронных устройств. По своей сути мемристор представляет собой резистор, наделенный функцией памяти, чья вольт-амперная характеристика носит нелинейный характер. В основе его работы лежит зависимость сопротивления от интеграла протекшего через устройство заряда, выступающего в роли переменной состояния. Эти уникальные свойства открывают путь к проектированию принципиально новых электронных систем, отличающихся исключительной энергоэффективностью и высоким быстродействием. Более того, они служат основой для создания самообучающихся машин, способных адаптироваться к динамичным изменениям внешней среды. Сфера практического применения мемристоров обширна: энергонезависимая память для хранения информации, включая бинарную и многоуровневую ячейки; активные переключающие элементы в составе логических интегральных схем; пластичные синапсы, эмулирующие работу нейронов в нейроморфных системах искусственного интеллекта, построенных на наноэлектронной элементной базе.
