Аннотация:
Рассматриваются принципы построения матриц памяти с внутренним дешифрированием, реализуемых на тонких магнитных пленках с использованием управляемого роста доменов в узких низкокоэрцитивных каналах, сформированных в высококоэрцитивном массиве.