Мухин Иван Сергеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Формирование упорядоченных перовскитных наноструктур методом наноимпринтинга
   
   Письма в ЖТФ, 52:6 (2026),  22–26
2. Исследование влияния растекания тока на особенности работы микросветодиодов GaP/GaPNAs/GaP на Si
   
   Письма в ЖТФ, 52:3 (2026),  11–15
3. Рост колончатых микрокристаллов GaN комбинированным PA-MBE/HVPE методом
   
   Физика твердого тела, 67:6 (2025),  934–939
4. Измерение уровня легирования нитевидных нанокристаллов с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния
   
   Физика твердого тела, 67:3 (2025),  460–463
5. Эластичный светодиод на основе InGaN/GaN-нитевидных микрокристаллов с растяжимыми электродами на основе текстурированных одностенных углеродных нанотрубок и полидиметилсилоксана
   
   Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  136–140
6. Детектирование единичных биомолекул с помощью твердотельного нанопорового SiN/Si-сенсора
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  471–473
7. Моделирование генерации второй гармоники в наночастицах Si
   
   Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  464–466
8. Исследование фотоиндуцированных процессов в единичных твердотельных нанопорах с интегрированными плазмонными структурами
   
   Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2201–2204
9. Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623
10. Формирование одиночных и гетероструктурированных нитевидных нанокристаллов на основе твердых растворов $\mathrm{InAs}_{1-x}\mathrm{P}_x$ на $\mathrm{Si}(111)$
    
    Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  526–529
11. Влияние оптического излучения различной длины волны на транспортные характеристики тонких SiN-мембран с интегрированными единичными нанопорами
    
    Письма в ЖТФ, 49:23 (2023),  35–37
12. Оптические свойства золото-кремниевых структур вулканообразной формы, изготовленных с помощью фемтосекундного лазерного воздействия
    
    Письма в ЖТФ, 49:13 (2023),  7–10
13. Гибридные резонансные металлодиэлектрические наноструктуры для локального окрашивания
    
    Письма в ЖЭТФ, 115:4 (2022),  213–217
14. Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками
    
    Письма в ЖТФ, 48:18 (2022),  6–9
15. Сверхвысокочастотные диоды Шоттки на основе одиночных нитевидных нанокристаллов GaN
    
    Письма в ЖТФ, 48:15 (2022),  22–25
16. Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе
    
    Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  15–18
17. Формирование люминесцентных структур при облучении тонких пленок a-Si:H-Er лазерными импульсами фемтосекундной длительности
    
    Письма в ЖЭТФ, 114:11 (2021),  749–755
18. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
19. Селективный рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии массивов нитевидных нанокристаллов GaN на процессированных SiO$_{x}$/Si-подложках
    
    Письма в ЖТФ, 46:21 (2020),  32–35
20. Revealing low-radiative modes of nanoresonators with internal raman scattering
    
    Письма в ЖЭТФ, 110:1 (2019),  21–22
21. Особенности магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля для применения в составе перовскитных солнечных элементов
    
    ЖТФ, 89:3 (2019),  460–464
22. Дискриминация поперечных мод в торцевых полупроводниковых лазерах с пространственной модуляцией отражения выходных зеркал
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  211–215
23. Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs
    
    Физика твердого тела, 60:4 (2018),  687–690
24. Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018),  201–205
25. Annealing atmosphere influence on contact resistivity of ohmic Pd/Ge/Au contact to n-GaAs
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:6 (2018),  789–792
26. Near-field optical microscopy of surface plasmon polaritons excited by silicon nanoantenna
    
    Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018),  609–613
27. Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  480
28. Core-shell III-nitride nanowire heterostructure: negative differential resistance and device application potential
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  475
29. Формирование металлических наноостровков при электронном облучении тонкой пленки золота на стекле
    
    ЖТФ, 87:2 (2017),  306–309
30. Особенности формирования микроструктур с высоким аспектным соотношением при изготовлении полимерных микрофлюидных чипов для исследования единичных живых клеток in vitro
    
    ЖТФ, 86:10 (2016),  125–130
31. Численное моделирование характеристик солнечных элементов на основе GaPNAs/Si гетероструктур и GaN нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1543–1547
32. Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 42:24 (2016),  64–71
33. Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития
    
    УФН, 186:8 (2016),  801–852
34. Relaxation time mapping of single quantum dots and substrate background fluorescence
    
    Письма в ЖЭТФ, 102:3 (2015),  186–191
35. Моделирование характеристик двухпереходных солнечных элементов на основе гетероструктур ZnSiP$_2$ на кремниевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  15–23
36. Об инверсии контраста при визуализации гидрофильных поверхностей методом силовой микроскопии с использованием зондов на основе Pt/C-вискеров
    
    Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  96–102
37. Mapping electromagnetic fields near a subwavelength hole
    
    Письма в ЖЭТФ, 99:11 (2014),  724–728
38. Исследование электрических свойств одиночных (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов
    
    Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  358–363
39. Об устойчивости работы сканирующего силового микроскопа с нановискером на вершине зонда
    
    ЖТФ, 83:7 (2013),  115–120
40. Лазерная генерация в перенесенных на подложку кремния микродисковых резонаторах с квантовыми точками InAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 39:18 (2013),  70–77
41. Формирование одиночных GaAs нитевидных нанокристаллов на вольфрамовом острие и исследование их электрических характеристик
    
    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1079–1083
42. Метод сфокусированного ионного пучка при формировании наноразмерных структур в микрофлюидных чипах
    
    Письма в ЖТФ, 37:20 (2011),  32–40