Зиновьев Владимир Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Усиление люминесцентного отклика субволновых решеток из Si-дисков со встроенными GeSi-квантовыми точками при переходе от простой решетки к решетке с базисом
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  614–619
2. Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков
   
   Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025),  55–59
3. Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024),  692–696
4. Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024),  238–241
5. Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками
   
   Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  414–420
6. Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613
7. Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)
   
   Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  748–752
8. Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  58–62
9. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215
10. Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  725–728
11. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
12. Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  258–264
13. Fluorescence modulation of eosin Y in a PMMA film by diarylethene switching
    
    Mendeleev Commun., 29:3 (2019),  285–287
14. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
15. Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1346–1350
16. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
17. Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848
18. Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением
    
    Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015),  767–771
19. Зарождение и рост упорядоченных групп квантовых точек SiGe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  155–159
20. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415
21. Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001),  296–299