Федоров Юрий Владимирович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Двухслойная диэлектрическая маска Si$_{3}$N$_{4}$/SiO$_{2}$ для создания низкоомных омических контактов к AlGaN/GaN HEMT
   
   Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1138–1142
2. MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  73–76
3. Оптимальная компоновка оптических систем с пространственными модуляторами света
   
   Квантовая электроника, 22:10 (1995),  1065–1066