Янькова Т Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Квантовая электроника, 21:10 (1994),  921–924
2. Межподзонное поглощение ИК излучения в напряженных структурах In$_{x}$Ga$_{1-x}$As$-$GaAs с квантовыми ямами
   
   Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  516–521