|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnGeS$_4$
Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 498–501
-
Аномалии теплового расширения и теплопроводности монокристаллов CuIn$_7$Se$_{11}$
Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 271–274
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn$_{8}$S$_{12.5}$
Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 669–672
-
Тепловое расширение и теплопроводность твердых растворов (In$_{2}$S$_{3}$)$_{x}\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$
Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 99–102
-
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$
Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1350–1354
-
Теплопроводность твердых растворов Cu$_{2}$ZnGe$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{4}$
Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 113–116
-
Выращивание и свойства монокристаллов FeIn$_{2}$S$_{3.6}$Se$_{0.4}$
Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 31–35
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов MnAgIn$_{7}$S$_{12}$
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1621–1624
-
Выращивание монокристаллов FeIn$_{2}$S$_{2}$Se$_{2}$ и исследование их свойств
Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1203–1206
-
Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 958–962
-
Твердые растворы (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: кристаллическая структура, ядерные гамма-резонансные спектры и ширина запрещенной зоны
Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1434–1438
-
Монокристаллы Mn$_{0.1}$Ag$_{0.9}$In$_{4.7}$S$_{7.6}$: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение
Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1071–1074
-
Монокристаллы твердых растворов (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$ $\cdot$ (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$: кристаллическая структура, спектры ядерного гамма-резонанса и тепловое расширение
Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 291–296
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In$_{2}$S$_{3}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$
Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1167–1172
-
Оптические свойства тонких пленок соединения In$_{2}$Se$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 731–734
-
Анизотропия теплового расширения монокристаллов CuIn$_{5}$Se$_{8}$ двух структурных модификаций
Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 577–581
-
Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов (CuIn$_{5}$S$_{8}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (FeIn$_{2}$S$_{4}$)$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 154–157
-
Магнитные и электрические свойства монокристаллов Fe$_{0.9}$Ag$_{0.1}$In$_{2.3}$S$_{4.4}$
Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1320–1324
-
Ширина запрещенной зоны твердых растворов Cu$_2$ZnSn(S$_x$Se$_{1-x}$)$_4$
Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1180–1183
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnSnS$_4$
Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 596–598
-
Ширина запрещенной зоны и тепловое расширение монокристаллов MnIn$_{5.0}$S$_{8.5}$
Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1303–1306
-
Ширина запрещенной зоны твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$
Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1194–1197
-
Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(CuIn$_5$S$_8$)$_x$
Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 725–730
-
Тепловое расширение и теплопроводность соединений In$_2$S$_3$, CuIn$_5$S$_8$ и твердых растворов
(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$
Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 577–581
-
Аномалии теплопроводности и электропроводности кристаллов CuIn$_5$Se$_8$
Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 163–166
-
Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов (FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$(In$_2$S$_3$)$_x$
Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 580–585
-
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$
Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1146–1149
-
Мессбауэровские и магнитные исследования тройного соединения FeIn$_2$Se$_4$
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 624–628
-
Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$
Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 620–623
-
Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов Mn$_x$Fe$_{1-x}$In$_2$S$_4$
Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 44–47
-
Магнитные свойства монокристаллов твердых растворов Fe$_x$Mn$_{1-x}$In$_2$S$_4$
Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011), 1464–1469
-
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов FeIn$_2$S$_4$
Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011), 1450–1453
-
Четверные твердые растворы (FeIn$_2$S$_4$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и фоточувствительные структуры на их основе
Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 941–946
-
Магнитные свойства кристаллов тройного соединения FeIn$_2$S$_4$
Физика и техника полупроводников, 45:7 (2011), 890–893
-
Фоточувствительные структуры на монокристаллах CuIn$_5$Te$_8$: создание и свойства
Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011), 617–621
-
Спектры пропускания пленок тройного соединения CuGa$_3$Se$_5$ в области края собственного поглощения
Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011), 453–455
-
Выращивание монокристаллов CdP$_2$ тетрагональной модификации и свойства барьеров на их основе
ЖТФ, 80:4 (2010), 84–88
-
Оптические свойства твердых растворов (CuInSe$_2$)$_{1-x}$(2MnSe)$_x$
Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010), 606–609
-
Обнаружение твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(MnIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и создание фоточувствительных структур на их основе
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 48–52
-
Выращивание монокристаллов (In$_2$S$_3$)$_x$(FeIn$_2$S$_4$)$_{1-x}$ и свойства фоточувствительных структур на их основе
Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010), 39–43
-
Кинетика просветления и наведенного поглощения в стеклах с микрокристаллами CuInS2xSe2(1-x) при пикосекундном возбуждении
Квантовая электроника, 20:9 (1993), 893–898
-
Пассивная синхронизация мод неодимовых лазеров с помощью стекол с микрокристаллами CuInS2xSe2(1-x)
Квантовая электроника, 20:9 (1993), 890–892
© , 2026