Шерстнев Виктор Вениаминович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  946–951
2. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм
   
   Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726
3. Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа
   
   Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006
4. Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378
5. Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами
   
   Письма в ЖТФ, 41:16 (2015),  77–83
6. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP
   
   Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1693–1696
7. Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами
   
   Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1434–1438
8. Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  821–824
9. Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695
10. Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45
11. Исследование квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, при температурах выше комнатной
    
    Письма в ЖТФ, 38:14 (2012),  27–31
12. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
13. Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  7–13
14. Анизотропная поляризация излучения в квантово-размерных лазерах, работающих на модах шепчущей галереи
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  4–9
15. Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  535–539
16. Изучение пространственных мод полудисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  365–371
17. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
18. Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17
19. Интерференция излучения дисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 36:13 (2010),  89–95
20. Перестройка чaстоты генерации лазера работающего на модах шепчущей галереи на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры, обусловленная нелинейными оптическими эффектами
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  7–13
21. Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения
    
    Квантовая электроника, 20:9 (1993),  839–842
22. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
    
    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1612–1624
23. Механизмы релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$/GaSb (${x\sim0.1}$, ${y\sim0.2}$)
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  158–163
24. Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1103–1108