Яковлев Юрий Павлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Мостиковые InAs/InAsSbP-фотодиоды: особенности технологии создания
   
   Физика и техника полупроводников, 59:8 (2025),  505–509
2. Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  37–42
3. Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m
   
   Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37
4. Водородный генератор тока на основе нанопленок палладия
   
   Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  15–17
5. Генерация тока в диодах Шоттки Pd/InP в атмосфере водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  37–41
6. Кинетика изменения оптической прозрачности нанопленок палладия при взаимодействии с водородом
   
   Оптика и спектроскопия, 131:3 (2023),  419–423
7. Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур
   
   Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  710–715
8. Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием
   
   Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  89–94
9. Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии
   
   Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515
10. Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd-поверхностно-окисленный InP
    
    Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  6–8
11. Влияние водорода на электрические и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур InP/Pd, полученных золь-гель методом
    
    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  12–15
12. Оптические и структурные свойства нанопленок палладия в атмосфере водорода
    
    Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1183–1187
13. Генерация тока в структурах Pd/InP в атмосфере водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1236–1239
14. Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010
15. Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613
16. Влияние водорода на оптическую прозрачность слоев палладия
    
    Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020),  603–606
17. Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288
18. Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683
19. Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  547–551
20. Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206
21. Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1427–1430
22. Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838
23. Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)
    
    Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  291–308
24. Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  246–248
25. Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ
    
    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54
26. Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP
    
    Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1183–1186
27. Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099
28. Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911
29. Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод
    
    ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318
30. Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1273–1277
31. Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1420–1424
32. Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  946–951
33. Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800
34. Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726
35. Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа
    
    Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006
36. Электрические свойства структур Pd-оксид-InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378
37. Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами
    
    Письма в ЖТФ, 41:16 (2015),  77–83
38. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1693–1696
39. Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами
    
    Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1434–1438
40. Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1270–1275
41. Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115
42. Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
    
    Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042
43. Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  821–824
44. Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695
45. Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами
    
    Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  75–82
46. Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45
47. Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C
    
    ЖТФ, 82:1 (2012),  73–76
48. Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  247–251
49. Исследование квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, при температурах выше комнатной
    
    Письма в ЖТФ, 38:14 (2012),  27–31
50. Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP
    
    Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49
51. Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов
    
    Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  7–13
52. Анизотропная поляризация излучения в квантово-размерных лазерах, работающих на модах шепчущей галереи
    
    Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  4–9
53. Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах
    
    ЖТФ, 81:4 (2011),  91–96
54. Влияние температуры на электролюминесцентные свойства flip-chip светодиодов среднего ИК-диапазона ($\lambda_{\mathrm{max}}\approx$ 3.4 мкм) на основе гетероструктуры InAs/InAsSbP
    
    Физика и техника полупроводников, 45:11 (2011),  1560–1563
55. Пассивация фотодиодов для инфракрасной области спектра спиртовым сульфидным раствором
    
    Физика и техника полупроводников, 45:4 (2011),  535–539
56. Изучение пространственных мод полудисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 45:3 (2011),  365–371
57. Фотовольтаический детектор на основе гетероструктуры II типа с глубокой квантовой ямой AlSb/InAsSb/AlSb в активной области для среднего инфракрасного диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 45:2 (2011),  251–255
58. Фотодиоды с расширенным спектральным диапазоном 1.5–4.8 $\mu$m на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP, работающие при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 37:19 (2011),  95–103
59. Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) для детектирования угарного газа
    
    Письма в ЖТФ, 37:11 (2011),  15–19
60. Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17
61. Портативный оптический анализатор содержания воды в нефти на основе оптопары “светодиодная матрица–широкополосный фотодиод” среднего ИК диапазона (1.6–2.4 $\mu$m)
    
    ЖТФ, 80:2 (2010),  99–104
62. Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  699–705
63. Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda\approx$ 3.3 мкм)
    
    Физика и техника полупроводников, 44:2 (2010),  278–284
64. Электролюминесценция в гетероструктурах II типа $p$-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/$p(n)$-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице
    
    Физика и техника полупроводников, 44:1 (2010),  69–74
65. Интерференция излучения дисковых лазеров на основе квантово-размерных наногетероструктур AlGaAsSb/InGaAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 36:13 (2010),  89–95
66. Быстродействующие $p$–$i$–$n$-фотодиоды для спектрального диапазона 0.9–2.4 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:9 (2010),  43–49
67. Перестройка чaстоты генерации лазера работающего на модах шепчущей галереи на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры, обусловленная нелинейными оптическими эффектами
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  7–13
68. Светодиоды с конусной световыводящей поверхностью, излучающие на длине волны 3.6 $\mu$m
    
    Письма в ЖТФ, 36:3 (2010),  104–110
69. Светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSb для спектроскопии CO$_2$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m)
    
    Письма в ЖТФ, 36:1 (2010),  105–110
70. Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения
    
    Квантовая электроника, 20:9 (1993),  839–842
71. Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1971–1976
72. Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 18:22 (1992),  6–10
73. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb для спектрального диапазона 3$-$5 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  50–53
74. Длинноволновое излучение в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb/GaAlAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  40–44
75. Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb лазерах
    
    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  18–24
76. Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1429–1436
77. Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
    
    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  394–401
78. Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  298–306
79. Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  283–286
80. Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn
    
    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  276–282
81. Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики GaInAsSb/GaSb лазеров
    
    Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  54–59
82. Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  56–60
83. Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1708–1714
84. Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1397–1406
85. Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1072–1078
86. Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GalnAsSb/GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1056–1061
87. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs
    
    Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  98–103
88. Длинноволновые светодиоды на основе GaInAsSb вблизи области несмешиваемости ($\lambda=2.4{-}2.6$ мкм, $T=300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 16:24 (1990),  19–24
89. Фазовые равновесия расплав$-$твердое тело при ЖФЭ синтезе $\text{A}^{3}\text{B}^{5}$ соединений из «инертных растворителей» (на примере систем: Pb$-$InAs$-$InSb и Bi$-$Ga$-$GaAs)
    
    Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  23–27
90. Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}\bigr|$InAs ($\lambda=3.0{-}4.8$ мкм при 300 K) с широкозонным «окном»
    
    Письма в ЖТФ, 16:16 (1990),  42–47
91. Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров на основе GaInAsSb
    
    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  66–70
92. Получение твердых растворов Al$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$/InAs методом ЖФЭ
    
    Письма в ЖТФ, 16:13 (1990),  41–45
93. Получение твердых растворов In$_{x}{-}\text{Ga}_{1-x}{-}\text{As}_{y}{-}\text{Sb}_{1-y}$, изопериодных к CaSb, вблизи границы области несмешиваемости
    
    Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  33–38
94. Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2$-$3.5 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  27–32
95. Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1373–1377
96. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  780–786
97. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8$-$2.4 мкм ($T=300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  71–75
98. Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения и умножения для области спектра 1.6$-$2.4 мкм
    
    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  71–76
99. Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав$-$твердое тело в системах A$^{3}$B$^{5}$ (на примере In$-$Ga$-$As$-$Sb)
    
    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  67–73
100. Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм
     
     Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19
101. Релаксация излучения и неравновесной заселенности в квантово-размерных полупроводниковых лазерах
     
     Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  79–83
102. Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе GaInAsSb
     
     ЖТФ, 58:8 (1988),  1623–1626
103. Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости ($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)
     
     Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1839–1843
104. Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)
     
     Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675
105. Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения и умножения на основе GaInAsSb/GaAlAsSb
     
     Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  986–991
106. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм, $\eta=4$%, $T=300$ K)
     
     Письма в ЖТФ, 14:9 (1988),  845–849
107. Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb
     
     Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393
108. Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов
     
     ЖТФ, 57:2 (1987),  316–321
109. Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$
     
     Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1103–1108
110. Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$
     
     Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  517–523
111. Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$
     
     Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  481–485
112. Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$
     
     Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  459–464
113. Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе
     
     Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337
114. Спектр и поляризация фотолюминесценции в непрямозонных полупроводниковых кристаллах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As
     
     Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1869–1874
115. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе
     
     Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221
116. Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$
     
     Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1311–1315
117. Расширение спектральной фоточувствительности варизонных Р-П-структур за счет эффекта переизлучения
     
     Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1241–1245
118. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом
     
     Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  664–668
119. Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре
     
     Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  557–561
120. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой
     
     Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1676–1679
121. Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава
     
     Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611
122. Люминесценция упруго и пластически деформированных при гетероэпитаксии (GaAl)P-слоев
     
     Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1078–1080
123. Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре
     
     Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506
124. Создание супертонких слоев $(Ga\,Al)As$ жидкостной эпитаксией
     
     Письма в ЖТФ, 11:8 (1985),  465–469
125. Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$
     
     Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  117–121
126. Неоднородное умножение в лавинных фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице
     
     Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1360–1364
127. Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах
     
     Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  149–153
128. Исследование капиллярного эффекта в системе Ga$-$Al$-$As/GaAs
     
     ЖТФ, 53:11 (1983),  2224–2226
129. Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP
     
     ЖТФ, 53:2 (1983),  411–412
130. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур
     
     Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176
131. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре
     
     Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755
132. Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур
     
     Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  125–128
133. Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев
     
     Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  645–648
134. Исследование диатермичности твердых материалов при высоких температурах излучателя
     
     ТВТ, 4:6 (1966),  882–883
135. Особенности образования $\mathrm{Li}_3^8$ при взаимодействии протонов 660 Мэв с ядрами $\mathrm{C}_6^{12}$
     
     Докл. АН СССР, 151:4 (1963),  826–828