Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe
Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 35–38
-
Влияние света на подвижность свободных носителей заряда в кристаллах моноселенида индия
Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1009–1013
-
Взаимодействие ультраузких линий излучения с оптическими и акустическими фононами в кристалле TlGaS$_{2}$
Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1711–1712
-
Экситонные, внутрицентровые и структурно-дефектные переходы в квазидвумерных кристаллах TlGaS$_{2}$ : Nd$_{2}$S$_{3}$
Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1643–1645
-
Спектроскопия внутрицентровых переходов и экситонов кристалла TlGaS$_{2}{-}$Nd$_{2}$S$_{3}$
Физика твердого тела, 33:3 (1991), 725–729
-
Экситоны в кристаллах InSe, активированных селенидами Но и Dy
Квантовая электроника, 18:7 (1991), 844–845
-
Экситоны в поглощении и фотопроводимости монокристалла TlGaSe$_{2}$
Физика твердого тела, 31:11 (1989), 312–313
© , 2026