|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Модификация атомной и электронной структур палладия в результате растворения водорода
Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1015–1023
-
Взаимное влияние водорода и вакансий в $\alpha$-цирконии на энергетику их взаимодействия с металлом
Физика твердого тела, 60:1 (2018), 13–21
-
Атомная структура систем Zr–He, Zr–vac, Zr–vac-He: расчет из первых принципов
Физика твердого тела, 59:1 (2017), 13–18
-
Особенности электронной структуры систем Zr–He, Zr–H, Zr–He–H
Физика твердого тела, 57:9 (2015), 1679–1684
-
Свойства поверхности титана ВТ1-0, модифицированной импульсным ионным пучком
ЖТФ, 85:7 (2015), 95–99
-
Cвойства ZrO$_2$ и TiO$_2$ покрытий, полученных методом плазменно-ассистированного дугового напыления на циркониевом сплаве Э110
ЖТФ, 85:2 (2015), 102–106
-
Электронная структура системы Zr–He
Физика твердого тела, 56:5 (2014), 973–980
-
Физико-механические свойства модифицированной поверхности циркониевого сплава импульсным ионным пучком
ЖТФ, 84:4 (2014), 68–72
-
Исследование влияния водорода на свойства модифицированного импульсным электронным пучком циркониевого сплава Zr1%Nb
ЖТФ, 83:9 (2013), 38–42
-
Нестабильность Гринфельда как механизм образования самоподобных структур на фольгах монокристалла алюминия при циклическом растяжении
Физика твердого тела, 54:12 (2012), 2302–2309
-
Свойства и структурное состояние поверхностного слоя циркониевого сплава, модифицированного импульсным электронным пучком и насыщенного водородом
ЖТФ, 82:3 (2012), 81–87
-
Миграция водорода в палладии: расчеты из первых принципов
Физика твердого тела, 53:5 (2011), 842–846
-
Особенности возбуждения системы водород (дейтерий)-металл электронным пучком
ЖТФ, 81:1 (2011), 35–41
-
Получение высокоэнергетических дейтронов при возбуждении электронным пучком палладия, насыщенного дейтерием
ТВТ, 48:4 (2010), 630–632
-
Ионизационное ускорение преобразования центров окраски в области
малых доз излучения
ЖТФ, 55:10 (1985), 2056–2059
-
Термический отжиг дефектов в арсениде галлия, облученном ионами серы
Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 316–318
© , 2026