|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn
Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 907–915
-
Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и $\gamma$-излучения на основе CdTe
Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 389–395
-
Ширина запрещенной зоны кристаллов CdTe и Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te
Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011), 1323–1330
-
Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe
Физика и техника полупроводников, 44:6 (2010), 729–734
-
Плотность и коэффициенты взаимной диффузии расплавов висмут-олово эвтектического и околоэвтектического составов
ТВТ, 48:2 (2010), 206–209
-
Горячая люминесценция кремниевого биполярного транзистора
Письма в ЖТФ, 11:23 (1985), 1437–1440
-
Излучение света металлом при прямом смещении диода Шоттки
ЖТФ, 54:6 (1984), 1185–1186
-
Механизм электролюминесценции кремниевого $p{-}n$-перехода
при обратном смещении
Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 426–430
© , 2026