RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Чижевский Евгений Григорьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние ко-допирования барием на сверхпроводимость в Sr$_x$Bi$_2$Se$_3$

    Письма в ЖЭТФ, 111:3 (2020),  166–172
  2. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
  3. Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu

    Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017),  506–514
  4. Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$

    Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016),  651–657
  5. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
  6. Твердый раствор Pb$_{1-x}$Eu$_{x}$Te (0 $\le x \le$ 1) – материал для вертикально-излучающих лазеров в средней инфракрасной области спектра 4–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  229–235
  7. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
  8. Инфракрасная спектроскопия Bi$_2$Te$_2$Se

    Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  213–217
  9. Дисперсия показателя преломления эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb$_{1-x}$Eu$_x$Te (0 $\le x\le$ 1) ниже края поглощения

    Физика и техника полупроводников, 45:8 (2011),  1014–1020
  10. Магнетосопротивление микроконтактов на основе полупроводников типа A$^{4}$B$^{6}$

    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3339–3344


© МИАН, 2026