RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Пенин Н А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Оптическая и тепловая стимуляция примесной фотопроводимости при оптическом возбуждении примесных атомов в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1941–1945
  2. Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  466–470
  3. Исправления к статье «О длине экранирования в примесном полупроводнике» (ФТП, 1983, т . 17, в . 3, с . 431–436)

    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  385
  4. Кинетика фотопроводимости германия, легированного цинком, при малых временах фотоответа

    Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1736–1740
  5. Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью (Ge : Hg)

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1008–1011
  6. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ширину линий спектра возбужденных состояний иона Zn$^{-}$ в германии

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  512–516
  7. Сечение захвата дырок ионами Hg$^{-}$ в германии

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  319–323
  8. Определение степени компенсации в примесном полупроводнике по измерениям оптического поглощения

    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  285–288
  9. Спектр возбужденных состояний однократно заряженного иона цинка в германии

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  740–742
  10. Зависимость времени жизни неравновесных дырок в $p$-германии от концентации центров рекомбинации — ионов Zn$^{-}$ и температуры

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  674–678
  11. О длине экранирования в примесном полупроводнике

    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  431–436
  12. Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках

    Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2209–2214
  13. Перестраиваемый гетеролазер на Pb1–ySnySe–PbSe

    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2513–2515
  14. Модуляционный метод измерения гетеродинных характеристик фотоприемников

    Квантовая электроника, 3:9 (1976),  1909–1913


© МИАН, 2026