|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Оптическая и тепловая стимуляция примесной фотопроводимости
при оптическом возбуждении примесных атомов в полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1941–1945
-
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации
примесных атомов в полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 466–470
-
Исправления к статье «О длине экранирования в примесном полупроводнике» (ФТП, 1983, т . 17, в . 3, с . 431–436)
Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 385
-
Кинетика фотопроводимости германия, легированного цинком,
при малых временах фотоответа
Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1736–1740
-
Температурная зависимость амплитудно-частотных характеристик
фотопроводимости в полупроводнике с двухуровневой примесью
(Ge : Hg)
Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1008–1011
-
Влияние электрон-фононного взаимодействия на ширину линий спектра
возбужденных состояний иона Zn$^{-}$ в германии
Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 512–516
-
Сечение захвата дырок ионами Hg$^{-}$ в германии
Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 319–323
-
Определение степени компенсации в примесном полупроводнике
по измерениям оптического поглощения
Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 285–288
-
Спектр возбужденных состояний однократно заряженного иона цинка
в германии
Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 740–742
-
Зависимость времени жизни неравновесных дырок в $p$-германии
от концентации центров рекомбинации — ионов Zn$^{-}$ и температуры
Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 674–678
-
О длине экранирования в примесном полупроводнике
Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 431–436
-
Фазовый метод определения времени жизни неравновесных носителей заряда в фотопроводниках
Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2209–2214
-
Перестраиваемый гетеролазер на Pb1–ySnySe–PbSe
Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2513–2515
-
Модуляционный метод измерения гетеродинных характеристик фотоприемников
Квантовая электроника, 3:9 (1976), 1909–1913
© , 2026