Дворянкин Владимир Федорович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdZnTe, выращенных из паровой фазы
   
   ЖТФ, 82:10 (2012),  140–142
2. Зависимость качества рентгеновских детекторов Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te от чистоты исходных компонентов
   
   ЖТФ, 81:5 (2011),  153–155
3. Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdTe с $p$–$n$-переходом
   
   ЖТФ, 80:7 (2010),  156–158
4. Исследование чувствительности детекторов на основе Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te к рентгеновскому излучению
   
   ЖТФ, 80:2 (2010),  149–151
5. Влияние фотоиндуцированного циклирования на свойства пленок VO$_{2}$
   
   Письма в ЖТФ, 18:18 (1992),  47–50
6. Волоконный, оптически управляемый модулятор излучения на основе двуокиси ванадия
   
   Письма в ЖТФ, 17:22 (1991),  85–89
7. Оптически управляемый волоконный переключатель на основе пленок VO$_{2}$
   
   Письма в ЖТФ, 17:9 (1991),  81–85
8. Тонкие пленки VO$_{2}$ с высоким оптическим контрастом
   
   Письма в ЖТФ, 17:8 (1991),  49–52
9. Об оптической бистабильности пленок VO$_{2}$ в области собственного поглощения
   
   Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  8–12
10. Волоконно-оптический генератор релаксационных колебаний на основе пленок двуокиси ванадия
    
    Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  46–50
11. Свойства эпитаксиальных пленок фосфида индия, легированного эрбием, в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  910–913
12. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414
13. Молекулярно-пучковая эпитаксия – перспективный метод получения интегрально-оптических устройств. I. Инжекционные лазеры (обзор)
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  5–24
14. О механизме сегнетоэлектрического фазового перехода в тиомочевине при $133^\circ$ К
    
    Докл. АН СССР, 140:1 (1961),  111–114